1. 片状氧化铝的特性
-
高纯度（≥99.9%）：避免金属杂质污染半导体表面（如硅、碳化硅或蓝宝石衬底）。
-
α相结构：高温稳定的晶相，硬度高（莫氏硬度9），适合精密研磨。
-
片状形貌：扁平几何结构提供均匀切削力，减少表面划伤，优于不规则颗粒。
-
粒径可控：通常为0.1-5 μm，粗研磨用较大颗粒，精抛改用亚微米级。
2. 在半导体研磨中的应用
-
衬底类型：用于硅（Si）、碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、蓝宝石（Al₂O₃单晶）等。
-
工艺阶段：
-
粗研磨：快速去除材料，使用1-5 μm颗粒。
-
精抛光：配合胶体二氧化硅等实现纳米级表面粗糙度。
-
-
形式：悬浮于水性或油性研磨液，或制成抛光垫固结磨料。
3. 优势与挑战
-
优势：
-
化学惰性，不与衬底或研磨液反应。
-
高硬度确保研磨效率，尤其对硬质材料（如SiC）。
-
片状结构降低深层损伤风险。
-
-
