1. 衬底研磨与抛光
(1) 硅（Si）衬底加工
粗研磨：使用1-5 μm片状氧化铝快速去除切割损伤层，提高表面平整度。
边缘抛光：片状颗粒减少硅片边缘微裂纹，降低后续破裂风险。
优势：相比球形氧化铝，片状结构可降低表面划伤深度（减少亚表面损伤层）。
(2) 碳化硅（SiC）衬底加工
硬质材料适配：SiC硬度极高（莫氏9.5），α-Al₂O₃（莫氏9）是少数能高效研磨的材料之一。
工艺优化：与金刚石磨料复配（如氧化铝:金刚石=7:3），平衡成本与效率。
(3) 蓝宝石（Al₂O₃单晶）衬底
同质材料匹配：氧化铝磨料避免异质污染，尤其适用于LED外延衬底。
透明衬底抛光：亚微米级片状氧化铝（0.1-0.5 μm）实现Ra <0.5 nm的超光滑表面。
2. 器件制造中的关键应用
(1) 晶圆背面减薄
超薄芯片工艺：在3D封装中，使用片状氧化铝研磨液将晶圆减薄至50-100 μm，同时控制应力（减少翘曲）。
TSV（硅通孔）加工：研磨时避免铜互连层污染，高纯度氧化铝（Na<1 ppm）是关键。
(2) 化学机械抛光（CMP）
阻挡层抛光：用于铜互连工艺中Ta/TaN阻挡层的CMP，氧化铝与过氧化氢（H₂O₂）组成抛光液，选择性去除金属。
浅沟槽隔离（STI）：与胶体SiO₂复配，优化SiO₂与SiN的抛光选择比。
