白刚玉微粉在晶圆抛光中按工序阶段与材料层精准分工
1. 硅衬底前道研磨 / 粗抛（切片后→精抛前）
- 目标：去除切片 / 倒角后的损伤层，快速平坦化，控制表面粗糙度 Ra 至纳米级。
- 粒度选择：1–5μm（如 W5、W3.5），兼顾去除速率与表面质量。
- 工艺适配：可用于干式研磨、湿式研磨或 CMP 粗抛段，作为胶体 SiO₂精抛的前置工序，大幅降低精抛成本。
2. 金属层 CMP（核心应用：钨插塞）
- 目标：去除钨层过镀部分，实现金属互联的全局平坦化，保证后续光刻精度。
- 粒度选择：0.3–1μm 亚微米级，窄分布近球形颗粒，减少金属表面划伤与坑洼。
- 工艺机制：抛光液中化学试剂（如氧化剂）先钝化钨表面，白刚玉微粉机械去除钝化层，循环实现可控去除；相比胶体 SiO₂，其硬度更高，对钨的去除效率更优。
- 其他金属：铝、铜抛光因易受硬颗粒划伤，现多采用胶体 SiO₂，但白刚玉在特定粗抛或局部修复场景仍有应用。
3. 其他辅助场景
- SiO₂绝缘层粗抛：部分工艺中替代 CeO₂，以降低成本，适合对去除速率要求不极致的场景。
- 边缘抛光与缺陷修复：用于晶圆边缘倒角后的精整，或局部划痕 / 凹坑的修复抛光，平衡效率与精度。
